国产内存和三星有多大距离？
我们平常所说的内存最核心的技术在于内存颗粒（DRAM），国产内存颗粒和国际上最直接的差距：目前DDR4内存已经成为绝对主流的今天，国产内存目前最先进的还仅仅是DDR3。不要看前段时间曝出的国产DDR4内存新闻，那张照片很明显就是一个DDR3内存，国内目前还没有量产DDR4内存的能力，紫光也对此进行了证实，研发进度究竟到了什么程度也很难说，希望能像紫光说的那样在2018年开始推向市场。
前段时间曝出的国产“DDR4”内存
内存颗粒虽说有些方面可能不像CPU那样研发门槛这么高，但是仍然是对技术要求很高的半导体产业，设计团队不仅要有优秀的电路设计能力，长期的经验积累也很重要，能生产内存颗粒的厂商全球就剩那么几家了，三星又是其中的领头羊，没有几把刷子是做不到现在的程度的：
一、三星的内存生产工艺已经达到了10nm级，速度比上代快10%，功耗也会降低15%，同时更先进的工艺也会保证更小的芯片面积、更大的产量和更低的成本。然而国内目前的内存工艺还是在28nm，差距甚大，生产工艺技术至少有2年的代差。
二、三星具备丰富的内存颗粒设计制造经验，早在1983年就已经开始筹备内存颗粒的研发，90年代又开始建设自己的晶圆厂来生产内存颗粒，从而建设起来坚固而稳定的内存生产线。
三、三星内存技术的进步和强大也离不开韩国政府倾国力的支持和具备魄力的三星领导班子，更有企业当初从上而下的凝聚力和勇气。
四、三星的一大优势就是强大的全产业链整合能力，其不仅有内存芯片，还有液晶面板，电视电脑、手机产品、SOC等等。这样垂直式的产业链能让三星以最快速度反映市场的需求，抗风险能力很强，也更容易达成内存等产品与终端产品的协调整合。
目前全球整个内存市场的价格和供给量大部分都掌握在三星的手里，加上海力士和美光这就是90%的市场占有率，借助2017年开始的内存价格大涨，三星也是赚了个盆满钵满，利润率大增。
如今越来越多的产品需要大容量的内存颗粒作支撑，国内庞大的手机、平板、电视等设备需求量很大，三星所操纵的内存市场给国内设备厂商造成了很大的成本压力，然而最终还会转嫁到消费者身上。所以说国产内存目前的形势非常紧迫，必须尽早推出自己的DDR4内存，并在一定程度上打破垄断。
西安紫光的官网，内存芯片产品列表里最高就是DDR3
就目前来看，西安紫光的DDR3内存产量就比较捉襟见肘，即使乐观说今年能推出DDR4内存，恐怕也是在一些商用领域试水，不会大规模量产，另外紫光近两年的重点恐怕还是会放在武汉长江存储那边的3D NAND闪存上，预计国产NAND闪存2018第四季度就能量产，这也将非常值得期待，至于国产DDR4内存颗粒，因为本身基础差，底子薄，先不说能不能打破三星垄断，恐怕走进我们普通消费者还是需要相当长的时间。
我就这样说吧，比三星稍微低一档的海力士内存，所有良品全送回韩国，在加工中工艺问题导致的1等不良是卖给金士顿的，其余卖不掉的还会有国产厂家来收，毕竟中国的硅片生产可是比韩国落后10年。
华为mate40手机采用的是长江存储的内存，文件系统是华为自己的，目前mate40无论是顺序读取写入还是随机读取写入都是最快的，苹果12采用更先进的内存颗粒也还是mate40的败将。不信可以下载权威软件测试！
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内存的生产厂家主要有三星、美光、SK海力士，其中三星在全球份额最大。
虽然三星的手机业务在中国已经凉凉，凭借着内存的一波涨价，损失彻底弥补；
手机还有华为可以一战，内存就只有看紫光国徽的了。
那么，国产内存和三星究竟有多大差距呢？
国产内存现状
虽然紫光在2018年初就已经开始研制，但是近期才传出新的消息。
“公司DDR4存储器芯片的开发工作已经基本完成，正在进行后续改进、完善及市场推广工作。下游制造代工的情况目前没有明显改善，产能仍然很难保证。”
官网查看了一下，主要的产品还是DDR3；
至于具体的性能，这里就不进行测试了，DDR4将会吊打DDR3。
三星内存现状
1983年三星就已经开始了内存制造，具有丰富的内存颗粒制造经验。
三星的内存生产工艺已经达到了10nm级，速度更快，功耗更低；
就连国内手机巨头，华为的存储芯片都要依靠三星来进行供给；
并且三星具备完整的产业链条，具有内存定价的话语权。
不得不说，国产芯和三星等国际巨头差距较大，仍需努力。
大家觉得国芯是否能够实现赶超三星？
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国产内存与三星的差距，好比只参加过校内运动的中学生与正值巅峰的运动员共同参加比赛，现在被人轻松碾压都是正常的，但是差距未来有可能缩小，最终平级甚至被国产反超。
三星日前发布了2018年Q1季度财报，营收599.6亿美元，同比增长20%，但是净利润108亿美元，同比大涨52%，其中的主要功臣就是半导体业务，芯片业务占到利润总额的75%，内存、闪存功不可没。
根据市场统计，三星在全球DRAM内存市场上的占有率达到了45.8%，第二名的SK Hynix为28.7%，美光为21%，三星一家就占了全球将近一半的DRAM内存芯片市场，去年全球存储芯片产值1320亿美元，内存芯片大约占740亿美元，三星的比重可见一斑。
三星在内存产业上的强势有多方原因，韩国国家支持、三星起步较早等原因之外，单看产能、技术等方面我们也要知悉中国与三星的差距有多大。首先来说产能，三星2017下半年的存储芯片晶圆产能就达到了每月39万片，去年还在韩国平泽市建设了二期工程（一期工程建成了全球最大的NAND晶圆厂），主要用于12英寸内存芯片生产，建成后三星的DRAM内存产能将增加20%左右，2018年预计月产能可达50万片晶圆/月。
至于中国内存芯片的产能，别说某一家公司，算上未来的长江存储、合肥长鑫以及福建晋华，这三家近两年新建设的产能合计不过48万片晶圆/月，而且长江存储的30万片晶圆/月产能还是给3D NAND闪存的，内存领域的产能差距可见就有多大了。
再说技术水平上的，三星全球份额最大，不仅是因为他们全球产能最大，也跟三星的技术领先有重大关系，三星在2014年就量产了20nm工艺的DDR3内存，2016年又率先量产了18nm工艺的DDR4内存芯片，Die核心容量也从之前的4Gb、8Gb一路走向了16Gb，单条128GB容量的内存不是梦，每次量产新工艺内存至少要比SK Hynix、美光量产时间领先2年之多。
内存芯片工艺路线图
有回答说三星的内存芯片是10nm的，实际上这是三星宣传中的一个小花招，10nm Class并不是特指10nm工艺，而是20nm以内的都可以叫做10nm Class级别的，在18nm（1X）工艺之后三星还在研发1Y、1Z nm内存芯片，分别指代14到16nm、12到14nm之间的内存芯片，不出意外的话，三星还会继续保持技术的领先。
至于国产内存，目前国内公司能够染指的主要是DDR3内存，特别是西安紫光国芯，不过紫光这个也是早前德国英飞凌科技的遗产，这个部门是紫光公司买来的。官网上能少量提供DDR3内存芯片，DDR4说是在今年下半年量产问世。
即便是DDR3，国产内存在技术规格上也落后许久，这不是说DDR3规范落后，而是DRAM芯片的差距，从此前测过的紫光DDR3内存来看，8GB单条是正反面16颗闪存布局，每个芯片容量从512Mb，核心容量是4Gb的，制程工艺未知，但是国内目前掌握的工艺至少要落后国际先进水平三代以上，大概率是30nm以上的工艺，能耗肯定比现有产品要高。
除了紫光国芯，其他公开进军内存市场的还有兆易创新，此前他们宣布联合合肥产业控股集团斥资180亿人民币研发内存芯片，制程工艺为19nm，预计在今年底之前研发成功，这个技术水平已经很先进了，可惜的是这次的研发只是实验性的，即便研发成功了，芯片良率要求也不过是10%，根本没可能量产上市，不然成本贵的要死了。
总之，在内存领域中国公司与三星的差距是天翻地覆的，大概是10分考生与99分学霸的对比，不过中国现在也在大力发展存储芯片产业，投资强度大，产能增长的很快，各地都在新建晶圆厂，数年内产能追上三星并不意外，技术、人才上的差距则需要时间来不断试错、不断提升。
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差距是非常非常大的，靠一些情怀跟YY式的吹捧，应当是没法跟三星抗争。目前国内只能生产DDR3内存，但还没有达到大规模上市的程度，至于DDR4内存，国内还没有任何一家企业能够制造出来。而且DDR3内存价格也不会是白菜价，这个放心，有些人还真的很天真，以为国产内存一上市，就能打得三星、海力士和镁光全都丢盔卸甲，哭着喊着要降价。别做梦了，有时间不如多看看抗日神剧，更有助于YY。
现在网上有两种风气，一种就是盲目的自大，以军事自媒体为主，什么标题都是吓哭美日了，震惊全世界。还有一种是跪舔，一个劲的自黑，吹捧美日有多强，有多牛，有多好。这二种心态，都是不正常的，都是不值得推广的。
作为消费者，要理性看待这些问题，虽然现在国产内存和三星差距比较大。但不用担心，毕竟我们正在慢慢追赶。虽然现在与三星的差距很大，但是只要努力追赶，差距总会慢慢缩小的。也许多年以后，我们国产的内存就能超越三星了。
三星已经将10nm的技术应用于DRAM之中，国内目前还处在28nm的阶段，正在努力向19nm工艺DRAM内存努力。
三星的已经开始规划建议三代10nm DRAM生产线和第六代NAND闪存工厂。国内目前真正能有成品上市的只有紫光的DDR3内存，但量很少。
至于市场用有率，研究实力这些，就不多说了。
但我对国产内存有信心，就像多年以前，液晶显示屏，基本上都是国外企业垄断，但现在很多产品上使用的屏幕，都是国产的。
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在国产内存没有上市之前，全球内存市场基本被三星、镁光、海力士这三家巨头牢牢把控，我们根本就没有议价权。2020年以来，内存再一次成为了“理财产品”，连涨了6个月，价格几乎翻了一倍。
这种把戏我们已经看多了，三星工厂时不时“起个火”，过段时间“停个电”，再后来又说“没库存”，一副不愁没人买，我就是要涨价的嘴脸。说实话，被巨头垄断的市场，人家想涨价就涨价，借口再烂，你也毫无办法。好消息是，三家内存巨头的好日子马上就要到头了，因为国产内存芯片行业已经逐渐成熟，打破了巨头垄断的局面。
2020年5月，首批采用国产长鑫颗粒的国产DDR4内存正式面世，这是真正意义上的纯国产内存。根据许多数码发烧友实测，国产光威DDR4内存的性能虽然不算顶级，但是已经到了可用的级别。遗憾的是，由于工艺还不够纯熟，国产光威DDR4内存在性能略有差距的情况下，价格也没有太大优势。
说来也奇怪，国产光威DDR4内存发售的当天，各大内存厂商都纷纷降价，对国产内存进行精准打击。也正是从2020年5月开始，DDR4内存疯狂涨价的趋势立马戛然而止，仿佛都商量好了一样？根据快科技的报道，近段时间以来，内存现货的价格开始暴跌，已经跌了25%左右，光是6月份，就跌了17%以上。
但从长期来看，如果想以后也能买到物美价廉的产品，还是得靠国产内存芯片来打破垄断。
有竞争，才有真正的低价，没有自己的核心技术，就只能任人宰割。回过头来看，不觉得很可笑吗？内存就和手机一样，都是电子产品。DDR4这么成熟的技术，居然不会降价，反而涨价。
从无到有，我们国家产的DRAM和三星DRAM相比，已经发展到主流产品仅差二代了，这是个了不起的进步！
当然，这里要首先感谢浪潮集团，其次则是紫光国芯和合肥长鑫。
一、感谢浪潮集团：
浪潮集团
这里肯定很多人就纳闷了，和浪潮集团有什么关系？
这事要从2009年全球经济衰退说起，这一年为中国提供了无数的机遇。
奇梦达
1月23日，世界第二大DRAM厂家奇梦达(Qimonda)宣布破产了，不过它在中国西安有个中国研发中心。8月12日，浪潮以3000万元买下了奇梦达的这个西安研发中心，并迅速将其更名为“西安华芯半导体有限公司”。
奇梦达西安研发中心具有世界最先进的半导体存储器产品设计和开发能力，这次收购使中国企业拥有了国际先进工艺水平同步的存储器芯片设计开发团队。
可以说，浪潮的这次收购，为打造中国自主的存储器产业跨出实质性的一步。
然而6年之后，浪潮由于一些原因吧！挂牌出售了西安华芯。2015年，紫光国芯收购西安华芯并更名为西安紫光国芯。2019年12月，西安紫光国芯并入北京紫光存储。
而合肥长鑫的技术就来自于西安紫光存储。
二、合肥长鑫DRAM
长鑫DRAM
最新消息是，长鑫存储10纳米级第一代8Gb DDR4内存芯片，已经在市场开卖了，在光威弈Pro系列内存条、台电的腾龙系列内存中，我们看到了长鑫DDR4颗粒的身影。
长鑫内存芯片
长鑫1X nm级别的DDR4内存芯片，也是国内首次大规模量产自研的内存芯片。
2019年的9月，长鑫就量产了1xnm工艺19纳米级的DDR4内存。并预计达到每月产能4万片晶圆的标准，同时 合肥长鑫也计划开展了17纳米级的芯片研究。计划在2021年完成研发和试产。
长鑫颗粒测试
长鑫颗粒可以在3000MHz的频率运行在C16，而目前市面上大多数2666MHz频率的入门级内存时序都在C19，很少数能做到C16，可见国产的长鑫颗粒并不弱。
三、三星DRAM水平
三星说实话，体量太大了，自从上世纪八十年代，三星进入该行业，很快就成为全球最大的DRAM存储芯片企业， 成为了今天占全球DRAM存储芯片市场份额近50%的优势企业。三星也是全球NAND Flash存储芯片市场份额近40%的最大企业。
三星颗粒
2019年，排名前六的DRAM厂商分别是三星、SK海力士、美光、南亚科技（Nanya）、华邦（Winbond）、力晶科技（Powerchip）。
在DRAM进入20nm节点之后，制程工艺已经不再具体标明数字，而是用1x、1y、1z来代替，大体来说1xnm工艺相当于16-19nm级别、1ynm相当于14-16nm，1znm工艺相当于12-14nm级别。
在生产DRAM方面，三星已在2019年完成了第二代1y制程量产，基于第三代1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存已在三星和美光量产。以及采用（EUV）极紫外光刻生产的第四代10奈米（1a）DRAMs，并且都是用于16Gb颗粒的生产。
综上所述，国内DRAM发展水平和三星的主流DRAM相比仅差二代。